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探針測試行業(yè)發(fā)展趨勢(1)設備將向高精度化方向發(fā)展現階段半導體器件主要通過(guò)提高集成度的方式實(shí)現更多功能或更快響應。為此,半導體制造過(guò)程一般會(huì )縮小器件特征尺寸,如高端邏輯芯片的電路制程線(xiàn)寬已由微米級別縮小至納米級別,最小已達3納米;在光電芯片中,最小的Micro LED尺寸也已經(jīng)縮小至50μm以下。此外,為避免器件集成度提高后單位制造成本過(guò)度上漲,業(yè)界一般使用更大尺寸的晶圓,通過(guò)在單片晶圓片上制造更多的芯片并提高邊緣區域使用率的方法降低單位制造成本,目前主流晶圓尺寸已從4英寸、6英寸,逐步發(fā)展到8英寸和12英寸。
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